IRFP3710 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFP3710 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFP3710

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)

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Description	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)

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IRFP3710 Détails du produit

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRFP3710

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	IRFP3710	334Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRFP3710PBF	234Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
	IRFP3710PBF	234Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

Description similaire - IRFP3710

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
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	IRF3710	94Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRFP044	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
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	IRFZ44VZ	298Kb / 12P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	279Kb / 11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRFZ44VZPBF	355Kb / 13P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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