IRFL9110 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFL9110 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFL9110

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Description	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)

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IRFL9110 Détails du produit

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of grreater than 1.25W is possible in a typical surface mount application.

● Surface Mount)
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● P-Channel
● Fast Switching
● Ease of Paralleling

Numéro de pièce similaire - IRFL9110

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRFL9110	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08
	IRFL9110	360Kb / 9P	Power MOSFET 18-Aug-14
	IRFL9110	357Kb / 9P	Power MOSFET 05-Apr-2021
International Rectifier	IRFL9110PBF	223Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -1.1A )
Vishay Siliconix	IRFL9110PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08

Description similaire - IRFL9110

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF9510	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFBC40S	350Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFD9014	177Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A)
	IRFD9110	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)
	IRFIBC40G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFIBC40GLC	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFPC40	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
	IRFR9110	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
	IRFL9110PBF	223Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -1.1A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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