IRFD9110 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFD9110 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFD9110

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Taille du fichier	173.36 Kbytes

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Description	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)

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IRFD9110 Détails du produit

HEXFET technology is the key to International Rectififers advanced line of power MOSFET transistors.

■ P-Channel Versatility
■ For Automatic Insertion
■ Compact Plastic Package
■ End Stackable
■ Fast Switching
■ Low Drive Current
■ Easily Paralleled
■ Excellent Temperature Stability

Numéro de pièce similaire - IRFD9110

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	IRFD9110	54Kb / 6P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
Fairchild Semiconductor	IRFD9110	93Kb / 7P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Harris Corporation	IRFD9110	342Kb / 6P	-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier	IRFD9110	218Kb / 6P	1-WATT RATED POWER MOSFETs
Vishay Siliconix	IRFD9110	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08

Description similaire - IRFD9110

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF9510	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFBC40S	350Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFI734G	241Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.4A)
	IRFIBC40G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFIBC40GLC	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFL9110	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
	IRFPC40	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
	IRFR9110	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
	IRFD9110PBF	1Mb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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