IRFL110 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFL110 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFL110

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Taille du fichier	244.59 Kbytes

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)

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Description	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)

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IRFL110 Détails du produit

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of grreater than 1.25W is possible in a typical surface mount application.

• Surface Mount
• Available in Tape & Reel
• Dynamic dv/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Numéro de pièce similaire - IRFL110

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRFL110	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08
International Rectifier	IRFL110PBF	216Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFL110PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08
	IRFL110TR	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08
	IRFL110TRPBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08

Description similaire - IRFL110

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF510	175Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
	IRF510S	178Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF5210	125Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
	IRFD110	174Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRLL110	217Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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