IRF5210 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF5210 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRF5210

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Taille du fichier	125.28 Kbytes

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Description	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

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IRF5210 Détails du produit

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRF5210

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Kersemi Electronic Co.,...	IRF5210	738Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF5210	334Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF5210L	186Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF5210L	738Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF5210L	272Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - IRF5210

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF5210S	186Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
	IRF5305	124Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
	IRF5305S	171Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
	IRF540N	99Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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