IRF9610S Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF9610S Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)

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Description	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)

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IRF9610S Détails du produit

Description
The HEXFET technology is the key to international Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

• Surface Mount
• Available in Tape and Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• P-Channel
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Numéro de pièce similaire - IRF9610S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRF9610S	206Kb / 10P	Power MOSFET 02-Jul-12
	IRF9610S	199Kb / 9P	Power MOSFET 30-Aug-2021
	IRF9610SPBF	199Kb / 9P	Power MOSFET 30-Aug-2021
	IRF9610STRLPBF	199Kb / 9P	Power MOSFET 30-Aug-2021
	IRF9610STRRPBF	199Kb / 9P	Power MOSFET 30-Aug-2021

Description similaire - IRF9610S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IFRI820G	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
	IRF820	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF820S	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF9610	161Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
	IRFBE30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
	IRFD9210	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A)
	IRFL9014	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A)
	IRFR9210	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
	IRFRU9214	107Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)
	IRF9610PBF	1Mb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-200V , RDS(on)=3.0廓 , ID=-1.8A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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