IRF820 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF820 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRF820 Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRF820

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)

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IRF820 Détails du produit

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Numéro de pièce similaire - IRF820

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	IRF820	140Kb / 2P	N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
STMicroelectronics	IRF820	92Kb / 8P	N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Samsung semiconductor	IRF820	322Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF820	157Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
Intersil Corporation	IRF820	54Kb / 7P	2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999

Description similaire - IRF820

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IFRI820G	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
	IRF820A	100Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF820AS	133Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF820S	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF9610S	163Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
	IRFBE30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
	IRFD420	468Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
	IRFD9210	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A)
	IRFR420	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
	IRFRU9214	107Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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