2SC5508 Fiches technique(PDF) - NEC

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2SC5508 Fiches technique (PDF) - NEC

2SC5508 Datasheet PDF - NEC


No de pièce	2SC5508

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Fabricant	NEC [NEC]

Site Internet	http://www.nec.com/

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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD

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Fabricant	NEC [NEC]

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Description	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD

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2SC5508 Détails du produit

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD

FEATURES
• Ideal for low-noise, high-gain amplification applications
• NF = 1.1 dB, Ga= 16 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE= 2 V, IC= 5 mA
• Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE= 2 V, IC= 20 mA
• fT= 25 GHz technology
• Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (t = 0.59 mm)

Numéro de pièce similaire - 2SC5508

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	2SC5508	229Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	2SC5508-A	229Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	2SC5508-T2	229Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	2SC5508-T2-A	229Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	2SC5508-T2B	229Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

Description similaire - 2SC5508

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC5178	82Kb / 12P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
	2SC5183	60Kb / 12P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
	2SC5436	77Kb / 12P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ULTRA SUPER MINI MOLD FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
	2SC5507	91Kb / 12P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
	2SC5606	68Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
	NE661M04	70Kb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
	2SC5761	81Kb / 14P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
California Eastern Labs	NESG3031M05-T1-A	673Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC5508	229Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	2SC5606	201Kb / 9P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

À propos de NEC

NEC Corporation est une société japonaise de technologies de l'information et d'électronique. La société a été fondée en 1899 et a son siège à Tokyo, au Japon. NEC fournit une large gamme de produits et services, notamment les technologies de l'information, les télécommunications et l'électronique. Son portefeuille comprend du matériel informatique, des logiciels et des services, des solutions réseau, des solutions d'affichage et des serveurs d'entreprise et des solutions de stockage.

NEC est connue pour son expertise dans le domaine des technologies de l'information et sa capacité à fournir des produits et services innovants et de haute qualité. La société a des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et a une forte présence dans la région Asie-Pacifique. NEC travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions personnalisées qui répondent à leurs besoins et besoins spécifiques.

En plus de son cœur de métier, NEC est également actif dans les domaines de la recherche et du développement et est impliqué dans divers projets liés à des technologies avancées telles que l'intelligence artificielle, les réseaux 5G et l'Internet des objets (IoT). NEC s'engage à fournir des solutions durables qui soutiennent le développement de la société et améliorent la qualité de vie des personnes du monde entier.

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