2SC5761 Fiches technique(PDF) - NEC

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2SC5761 Fiches technique (PDF) - NEC

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No de pièce	2SC5761

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Fabricant	NEC [NEC]

Site Internet	http://www.nec.com/

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NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

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Description	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

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2SC5761 Détails du produit

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

FEATURES
• Ideal for low noise ⋅ high-gain amplification
NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

Numéro de pièce similaire - 2SC5761

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	2SC5761	305Kb / 16P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION May 2003
Renesas Technology Corp	2SC5761-T2	305Kb / 16P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION May 2003

Description similaire - 2SC5761

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC5507	91Kb / 12P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
	2SC5508	106Kb / 16P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
	NE661M04	70Kb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
	2SC5754	89Kb / 13P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
	NESG2021M16	120Kb / 12P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NESG2031M16	119Kb / 12P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
California Eastern Labs	NESG3031M05-T1-A	673Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)
	NESG2021M16	861Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC5754	222Kb / 15P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

À propos de NEC

NEC Corporation est une société japonaise de technologies de l'information et d'électronique. La société a été fondée en 1899 et a son siège à Tokyo, au Japon. NEC fournit une large gamme de produits et services, notamment les technologies de l'information, les télécommunications et l'électronique. Son portefeuille comprend du matériel informatique, des logiciels et des services, des solutions réseau, des solutions d'affichage et des serveurs d'entreprise et des solutions de stockage.

NEC est connue pour son expertise dans le domaine des technologies de l'information et sa capacité à fournir des produits et services innovants et de haute qualité. La société a des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et a une forte présence dans la région Asie-Pacifique. NEC travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions personnalisées qui répondent à leurs besoins et besoins spécifiques.

En plus de son cœur de métier, NEC est également actif dans les domaines de la recherche et du développement et est impliqué dans divers projets liés à des technologies avancées telles que l'intelligence artificielle, les réseaux 5G et l'Internet des objets (IoT). NEC s'engage à fournir des solutions durables qui soutiennent le développement de la société et améliorent la qualité de vie des personnes du monde entier.

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