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STB36NM60ND Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STB36NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STB36NM60ND
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Taille du fichier   1363.47 Kbytes
Page   18 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II

STB36NM60ND Datasheet (PDF)

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STB36NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STB36NM60ND
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II

STB36NM60ND Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STB36NM60ND Détails du produit

Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with
intrinsic fast-recovery body diode are produced
using the second generation of MDmesh™
technology. Utilizing a new strip-layout vertical
structure, these revolutionary devices feature
extremely low on-resistance and superior
switching performance. They are ideal for bridge
topologies and ZVS phase-shift converters.

Features
• Designed for automotive applications and
AEC-Q101 qualified
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• Extremely high dv/dt and avalanche
capabilities

Applications
• Automotive switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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