RJS6004TDPEJ Fiches technique(PDF)

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RJS6004TDPEJ Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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SiC Schottky Barrier Diode

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RJS6004TDPEJ Détails du produit

Features
• New semiconductor material: Silicon Carbide Diode
• No reverse recovery / No forward recovery

Numéro de pièce similaire - RJS6004TDPEJ

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	RJS6004TDPP-EJ	169Kb / 4P	600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Jan 23, 2014
Renesas Technology Corp	RJS6004TDPP-EJ	80Kb / 4P	600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode

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	SCS208AGHR	481Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
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	SCS220AJ	493Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SVS212AGHR	478Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
Toshiba Semiconductor	TRS12N65D	163Kb / 5P	SiC Schottky Barrier Diode

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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