MTP33N10 Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTP33N10 Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

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No de pièce	MTP33N10

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM

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Description	TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM

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MTP33N10 Détails du produit

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Numéro de pièce similaire - MTP33N10

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTP33N10E	212Kb / 7P	N?묬hannel Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 5
Inchange Semiconductor ...	MTP33N10E	301Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - MTP33N10

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTE215N10E	226Kb / 8P	TMOS POWER FET 215 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.0055 OHM
	MTP12N10E	239Kb / 6P	TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM
	MTP12P10	190Kb / 6P	TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
	MTP27N10E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 27 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.07 OHM
	MTP40N10E	160Kb / 8P	TMOS POWER FET 40 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.04 OHM
	MTW33N10E	227Kb / 8P	TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
	MTW45N10E	155Kb / 8P	TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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