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RJP30E2DPP-M0 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp
RJP30E2DPP-M0 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce RJP30E2DPP-M0
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Taille du fichier   158.83 Kbytes
Page   7 Pages
Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RJP30E2DPP-M0 Datasheet (PDF)

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RJP30E2DPP-M0 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

No de pièce RJP30E2DPP-M0
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
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Description Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RJP30E2DPP-M0 Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp


RJP30E2DPP-M0 Détails du produit

1. Trench gate technology (G5H series)

2. Low collector to emitter saturation voltage  VCE(sat)= 1.7 V typ

3. High speed switching  tf = 150 ns typ

4. Low leak current  ICES= 1 μA max

5. Isolated package TO-220FL






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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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