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RJH60F0DPQ-A0 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

RJH60F0DPQ-A0 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce RJH60F0DPQ-A0
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RJH60F0DPQ-A0 Datasheet (PDF)

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RJH60F0DPQ-A0 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

No de pièce RJH60F0DPQ-A0
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
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Description Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RJH60F0DPQ-A0 Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp

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RJH60F0DPQ-A0 Détails du produit

Features
• Low collector to emitter saturation voltage
   VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
   tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)




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À propos de Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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