BC847S Fiches technique(PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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BC847S Fiches technique (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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Multi-Chip Transistor

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Fabricant	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

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Description	Multi-Chip Transistor

BC847S Fiches technique (HTML) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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BC847S Détails du produit

Features
   Power dissipation
      PCM : 0.3 W (Tamp.= 25°C)
   Collector current
      ICM : 0.2 A
   Collector-base voltage
      V(BR)CBO : 50 V
   Operating & Storage junction Temperature
      Tj, Tstg : -55°C~ +150°C

Numéro de pièce similaire - BC847S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Siemens Semiconductor G...	BC847S	156Kb / 6P	NPN Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current gain)
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Fairchild Semiconductor	BC847S	51Kb / 5P	NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
Diotec Semiconductor	BC847S	101Kb / 2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Double-Transistors

Description similaire - BC847S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	MMDT2227	483Kb / 6P	Multi-Chip Transistor
	MMDT3904	299Kb / 2P	Multi-Chip Transistor
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	MMDT4401	495Kb / 2P	Multi-Chip Transistor
	MMDT2227	483Kb / 6P	Multi-Chip Transistor
	MMDT3906	240Kb / 2P	Multi-Chip Transistor

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