BC847PN Fiches technique(PDF)

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BC847PN Fiches technique (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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Multi-Chip Transistor

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BC847PN Détails du produit

FEATURE
• Epitaxial Die Construction
• Two internal isolated NPN/PNP transistors in one package
• Power Dissipation
PCM : 0.2 W (Temp. = 25˚C)
• Collector Current
ICM : 0.1A
• Collector-base Voltage
V(BR)CBO : 50/-50 V
• Operating & Storage Junction Temperature
TJ, TSTG : -55˚C~+150˚C

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