Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques
  French  ▼
ALLDATASHEET.FR

X  

Preview PDF HTML

PTF191601F Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG
PTF191601F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
No de pièce PTF191601F
Télécharger  PTF191601F Télécharger
Taille du fichier   206.33 Kbytes
Page   10 Pages
Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Description Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz

PTF191601F Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Télécharger Fiches technique
PTF191601F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

No de pièce PTF191601F
Télécharger  PTF191601F Click to download

Taille du fichier   206.33 Kbytes
Page   10 Pages
Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Description Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz

PTF191601F Fiches technique (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF191601F Détails du produit

Description
The PTF191601E and PTF191601F are 160-watt, internally-matched GOLDMOS FETs intended for GSM EDGE and CDMA applications in the 1930 to 1990 MHz band. Thermally-enhanced packaging provides the coolest operation available. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Thermally-enhanced packaging
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
   - Average output power = 80 W
   - Gain = 14 dB
   - Efficiency = 35%
   - EVM = 2.5%
• Typical CW performance
   - Output power at P–1dB = 180 W
   - Gain = 13 dB
   - Efficiency = 47%
• Integrated ESD protection: Human Body
   Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
   160 W (CW) output power




Numéro de pièce similaire - PTF191601F

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
Infineon Technologies A...		 PTF191601 INFINEON-PTF191601 Datasheet
61Kb / 4P		 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
2004-03-17
PTF191601E INFINEON-PTF191601E Datasheet
61Kb / 4P		 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
2004-03-17
More results


Description similaire - PTF191601F

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
Infineon Technologies A...		 PTF191601 INFINEON-PTF191601 Datasheet
61Kb / 4P		 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
2004-03-17
PTFA192401E INFINEON-PTFA192401E Datasheet
431Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1930 ??1990 MHz
Rev. 02, 2009-04-01
PTFB191501E INFINEON-PTFB191501E Datasheet
295Kb / 15P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 1930 ??1990 MHz
Rev. 02, 2009-09-09
PTFA190451E INFINEON-PTFA190451E Datasheet
375Kb / 10P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 1930 - 1990 MHz
Rev. 03.1, 2009-02-20
PTFA191001E INFINEON-PTFA191001E Datasheet
256Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz
Rev. 04, 2007-10-31
PTFA192001E INFINEON-PTFA192001E Datasheet
285Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz
Rev. 05, 2008-05-15
PTFB192503EL INFINEON-PTFB192503EL Datasheet
673Kb / 15P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1930-1990 MHz
Rev. 09, 2010-11-09
PTFB193404F INFINEON-PTFB193404F Datasheet
244Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 340 W, 30 V, 1930-1990 MHz
Rev. 04, 2011-02-07
PTFB193404F INFINEON-PTFB193404F_16 Datasheet
665Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 340 W, 30 V, 1930 ??1990 MHz
Rev. 05.2, 2016-06-14
logo
Cree, Inc		 PTFB192503FL CREE-PTFB192503FL Datasheet
531Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 1930 ??1990 MHz
More results




À propos de Infineon Technologies AG

Infineon Technologies est l'un des principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs qui se spécialisent dans la fourniture de solutions de gestion, de sécurité et de contrôle de l'énergie pour une variété d'industries telles que les systèmes automobiles, industriels et de communication.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




Lien URL



ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ?  [ DONATE ] 

À propos de Alldatasheet   |   Publicité   |   Contactez-nous   |   Politique de confidentialité   |   Lien vers la fiche technique    |   Echange de liens   |   Fabricants
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com