TSMF1000 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSMF1000 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	TSMF1000

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Taille du fichier	220.87 Kbytes

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

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TSMF1000 Détails du produit

Description
TSMF1000 series are high speed infrared emitting diodes in GaAlAs/GaAs/GaAlAs double hetero technology (DH) molded in clear SMD package with dome lens.
DH chip technology represents best performance for speed, radiant power, forward voltage and longterm reliability.

Features
• High speed
• Extra high radiant power
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Angle of half intensity ϕ = ± 17°
• Peak wavelength λp = 870 nm
• Longterm reliability
• Matched with PIN Photodiode TEMD1000
• Versatile terminal configurations

Applications
    IrDA compatible data transmission
    Miniature light barrier
    For control and drive circuits
    Photointerrupters
    Incremental sensors

Numéro de pièce similaire - TSMF1000

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSMF1000	38Kb / 4P	High Speed IR Emitting Diode in ø SMD Package 31-Mar-00
	TSMF1000	491Kb / 9P	High Speed IR Emitting Diode in SMD Package 21-May-03
	TSMF1000	183Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 30-Jun-11
	TSMF1000	220Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 30-Jun-11
	TSMF1000	173Kb / 10P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS-Compliant, 890 nm, Surface Emitter Technology 22-Oct-2021

Description similaire - TSMF1000

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSHF5210	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSHF5410	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSHF6410	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSSF4500	91Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	VSMF3710	136Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 31-Jul-08
	TSHF4410	97Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 16-Sep-08
	TSHF5410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSHF6410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSMF1000	183Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 30-Jun-11
	TSMF1000	220Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 30-Jun-11

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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