TSSF4500_08 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSSF4500 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

TSSF4500 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	TSSF4500_08

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

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TSSF4500 Détails du produit

DESCRIPTION
TSSF4500 is an infrared, 890 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: side view
• Dimensions (L x W x H in mm): 4.5 x 4 x 4.8
• Peak wavelength: λp = 890 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 22°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• High modulation bandwidth: fc = 12 MHz
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements
• TSSF4500 is ideal for the design of transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK - coded, 450 kHz or 1.3 MHz)

Numéro de pièce similaire - TSSF4500_08

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSSF4500	96Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	TSSF4500	94Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	TSSF4500	94Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11

Description similaire - TSSF4500_08

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	TSHF5410	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSHF6410	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	VSMF3710	136Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 31-Jul-08
	TSMF1030	220Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSHF4410	97Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 16-Sep-08
	TSHF5410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSHF6410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSMF1000	183Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 30-Jun-11
	TSMF1000	220Kb / 9P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 30-Jun-11

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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