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STS6DNF30V Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STS6DNF30V Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STS6DNF30V
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Taille du fichier   267.15 Kbytes
Page   8 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026ohm - 6A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET

STS6DNF30V Datasheet (PDF)

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STS6DNF30V Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STS6DNF30V
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026ohm - 6A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET

STS6DNF30V Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STS6DNF30V Détails du produit

DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.026Ω (@4.5V)
■ TYPICAL RDS(on) = 0.030Ω (@2.5V)
■ ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.5V)
■ STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY

APPLICATIONS
■ BATTERY SAFETY UNIT IN NOMADIC EQUIPMENT
■ DC-DC CONVERTERS
■ POWER MANAGEMENT IN PORTABLE/ DESKTOP PCS




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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