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STI30NM60ND Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STI30NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STI30NM60ND
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Taille du fichier   289.97 Kbytes
Page   15 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600V - 0.11Ω - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode)

STI30NM60ND Datasheet (PDF)

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STI30NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600V - 0.11Ω - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode)

STI30NM60ND Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STI30NM60ND Détails du produit

Description
The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode.

Features
■ The world’s best RDS(on) in TO-220 amongst
   the fast recovery diode devices
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt and avalanche
   capabilities

Application
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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