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STP14NK60Z Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STP14NK60Z Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STP14NK60Z
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Taille du fichier   672.26 Kbytes
Page   17 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

STP14NK60Z Datasheet (PDF)

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STP14NK60Z Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STP14NK60Z
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

STP14NK60Z Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STP14NK60Z Détails du produit

Description
The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

General features
■ Extremely high dv/dt capability
■ 100% avalanche tested
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitances
■ Very good manufacturing repeatibility

Applications
■ Switching application




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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