MMBT6520L Fiches technique(PDF)

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MMBT6520L Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

MMBT6520L Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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isc Silicon PNP Power Transistor

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	isc Silicon PNP Power Transistor

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MMBT6520L Détails du produit

DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= -350V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE=30(Min)@ (VCE= -10V, IC= -10mA)
·Low Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -0.5V(Max)@ (IC= -30mA, IB= -3mA)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as a driver in DC/DC converters and
actuators.

Numéro de pièce similaire - MMBT6520L

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MMBT6520L	141Kb / 5P	High Voltage Transistor October, 2016 ??Rev. 7
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Leshan Radio Company	MMBT6520LT1	167Kb / 5P	High Voltage Transistor(PNP Silicon)
ON Semiconductor	MMBT6520LT1	114Kb / 8P	High Voltage Transistor November, 2001 ??Rev. 2
ON Semiconductor	MMBT6520LT1G	122Kb / 5P	High Voltage Transistor July, 2010 ??Rev. 5

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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