BAW56T Fiches technique(PDF) - TRANSYS Electronics Limited

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BAW56T Fiches technique (PDF) - TRANSYS Electronics Limited

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BAW56T Détails du produit

SOT-523 Plastic-Encapsulated Diodes

SWITCHING DIODE

FEATURES

Power dissipation

PD: 150 mW (Tamb=25℃)

Forward Current

IF: 75 m A

Reverse Voltage

VR: 85 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃to +150℃

Numéro de pièce similaire - BAW56T

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	BAW56T	72Kb / 12P	High-speed double diode 1997 Dec 19
Diodes Incorporated	BAW56T	200Kb / 3P	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE DS30260 Rev. 3 - 2
Infineon Technologies A...	BAW56T	128Kb / 8P	Silicon Switching Diode Jun-03-2003
Weitron Technology	BAW56T	265Kb / 3P	Surface Mount Switching Diodes
Diodes Incorporated	BAW56T	90Kb / 3P	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE DS30260 Rev. 7 - 2

Description similaire - BAW56T

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
TRANSYS Electronics Lim...	1SS187	68Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	1SS422	100Kb / 2P	Plastic-Encapsulated Diodes
	BAS16LT1	61Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	BAS19LT1	61Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	BAS516	105Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	BAV70LT1	102Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	BAV199LT1	62Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	MC2836	61Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	MMBD914LT1	102Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes
	MMBD4148A	103Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Diodes

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