MMBD914LT1 Fiches technique(PDF) - TRANSYS Electronics Limited

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MMBD914LT1 Fiches technique (PDF) - TRANSYS Electronics Limited

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Plastic-Encapsulated Diodes

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MMBD914LT1 Détails du produit

SOT-23 Plastic-Encapsulated Diodes

FEATURES
   Power dissipation
      PD: 225 mW (Tamb=25℃)
   Forward Current
      IF: 200 mA
   Reverse Voltage
      VR: 75 V
   Operating and storage junction temperature range
      TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

Numéro de pièce similaire - MMBD914LT1

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Leshan Radio Company	MMBD914LT1	53Kb / 2P	High-Speed Switching Diode
ON Semiconductor	MMBD914LT1	52Kb / 3P	High?뭆peed Switching Diode January, 2006 ??Rev. 5
WILLAS ELECTRONIC CORP	MMBD914LT1	296Kb / 3P	High?뭆peed Switching Diode
ON Semiconductor	MMBD914LT1G	52Kb / 3P	High?뭆peed Switching Diode January, 2006 ??Rev. 5

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