IRG4BC40FPBF Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRG4BC40FPBF Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

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Description	Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

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IRG4BC40FPBF Détails du produit

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

Features
• Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• Industry standard TO-220AB package
• Lead-Free

Numéro de pièce similaire - IRG4BC40FPBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4BC40F	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
International Rectifier	IRG4BC40F	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
Inchange Semiconductor ...	IRG4BC40F	546Kb / 2P	Standard Speed IGBT
International Rectifier	IRG4BC40FD	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Description similaire - IRG4BC40FPBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRGMC50F	552Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
	IRG4PC60F-PPBF	231Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
	IRG4PC50FPBF	304Kb / 8P	Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4MC30F	142Kb / 8P	Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC30FPBF	218Kb / 8P	Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4PC60F-P	119Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
	IRG4PC30FPBF	273Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
	IRG4BC30S-SPBF	212Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	IRG4PC40FPBF	268Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
	IRG4PC60FPBF	236Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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