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IRG4PC50FPBF Fiches technique (PDF) - International Rectifier
IRG4PC50FPBF Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRG4PC50FPBF
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Taille du fichier   304.68 Kbytes
Page   8 Pages
Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRG4PC50FPBF Datasheet (PDF)

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IRG4PC50FPBF Datasheet PDF - International Rectifier

No de pièce IRG4PC50FPBF
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRG4PC50FPBF Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRG4PC50FPBF Détails du produit

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR




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À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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