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STU5N65M6 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STU5N65M6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STU5N65M6
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Taille du fichier   688.44 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 650 V, 1.15 typ., 4 A MDmesh™ M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU5N65M6 Datasheet (PDF)

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STU5N65M6 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STU5N65M6
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 650 V, 1.15 typ., 4 A MDmesh™ M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU5N65M6 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STU5N65M6 Détails du produit

Features
 Reduced switching losses
 Lower RDS(on) x area vs previous generation
 Low gate input resistance
 100% avalanche tested
 Zener-protected

Description
The new MDmesh™ M6 technology incorporates
the most recent advancements to the well-known
and consolidated MDmesh family of SJ
MOSFETs. STMicroelectronics builds on the
previous generation of MDmesh devices through
its new M6 technology, which combines excellent
RDS(on) * area improvement with one of the most
effective switching behaviors available, as well as
a user-friendly experience for maximum endapplication
efficiency.

Applications
 Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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