DSEA16-06AC Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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DSEA16-06AC Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM

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DSEA16-06AC Détails du produit

HiPerDynFRED™ Epitaxial Diode ISOPLUS220™ Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low cathode to tab capacitance (<15pF)
• Planar passivated chips
• Very short recovery time
• Extremely low switching losses
• Low IRM-values
• Soft recovery behaviour
• Epoxy meets UL 94V-0

Applications
• Antiparallel diode for high frequency switching devices
• Antisaturation diode
• Snubber diode
• Free wheeling diode in converters and motor control circuits
• Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
• Inductive heating
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Ultrasonic cleaners and welders

Advantages
• Avalanche voltage rated for reliable operation
• Soft reverse recovery for low EMI/RFI
• Low IRM reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch

Numéro de pièce similaire - DSEA16-06AC

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	DSEA16-06BC	539Kb / 3P	HiPerDynFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220
Thinki Semiconductor Co...	DSEA16-06BC	270Kb / 2P	16.0 Ampere Insulated Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Description similaire - DSEA16-06AC

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	DSEP30-06CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
	DSEP15-12CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
	IXFC60N20	77Kb / 2P	HiPerFET MOSFET ISOPLUS220TM
	DSEA59-06BC	526Kb / 2P	HiPerFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM
	DSEE30-12A	102Kb / 2P	HiPerFRED Epitaxial Diode
	DSEE15-12CC	516Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 (15A, 1200V, 35ns)
	DSEE6-06CC	509Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface
KEC(Korea Electronics)	Z02W100V	438Kb / 2P	ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Semikron International	SKMD202E	574Kb / 3P	Ultrafast Epitaxial Diode
Shenzhen Taychipst Elec...	1N5221B	4Mb / 2P	EPITAXIAL ZENER DIODE

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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