DSEE6-06CC Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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DSEE6-06CC Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

DSEE6-06CC Datasheet PDF - IXYS Corporation


No de pièce	DSEE6-06CC

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface

DSEE6-06CC Datasheet (PDF)

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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Description	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface

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DSEE6-06CC Détails du produit

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low cathode to tab capacitance (<15pF)
• Planar passivated chips
• Very short recovery time
• Extremely low switching losses
• Low IRM-values
• Soft recovery behaviour
• Epoxy meets UL 94V-0

Applications
• Antiparallel diode for high frequency switching devices
• Antisaturation diode
• Snubber diode
• Free wheeling diode in converters and motor control circuits
• Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
• Inductive heating
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Ultrasonic cleaners and welders

Numéro de pièce similaire - DSEE6-06CC

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Deep Sea Electronics	DSEE050	217Kb / 2P	eView® Engine Display - Configurable Engine Monitoring
Deep Sea Electronics	DSEE100	297Kb / 2P	ENGINE CONTROLLER
Thinki Semiconductor Co...	DSEE15-04CC	277Kb / 2P	15.0 Ampere Insulated Dual Tandem Structure In Series Ultra Fast Recovery Rectifiers
Thinki Semiconductor Co...	DSEE15-08CC	277Kb / 2P	15.0 Ampere Insulated Dual Tandem Structure In Series Ultra Fast Recovery Rectifiers
IXYS Corporation	DSEE15-12CC	516Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 (15A, 1200V, 35ns)

Description similaire - DSEE6-06CC

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	DSEP30-06CR	21Kb / 1P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE15-12CC	516Kb / 2P	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 (15A, 1200V, 35ns)
	DESC29-06AC	74Kb / 2P	HiPerFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface
	IXUC100N055	575Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXGC16N60C2	541Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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