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SCTH90N65G2V-7 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SCTH90N65G2V-7
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Taille du fichier   618.75 Kbytes
Page   14 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H²PAK?? package

SCTH90N65G2V-7 Datasheet (PDF)

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SCTH90N65G2V-7 Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H²PAK?? package

SCTH90N65G2V-7 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SCTH90N65G2V-7 Détails du produit

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Product status link SCTH90N65G2V-7 Product summary

Applications
■ Switching applications
■ Power supply for renewable energy systems
■ High frequency DC-DC converters




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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