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HMA81GS6AFR8N Fiches technique (PDF) - Hynix Semiconductor

HMA81GS6AFR8N Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
No de pièce HMA81GS6AFR8N
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Taille du fichier   1643.35 Kbytes
Page   73 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb A-die

HMA81GS6AFR8N Datasheet (PDF)

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HMA81GS6AFR8N Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

No de pièce HMA81GS6AFR8N
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Taille du fichier   1643.35 Kbytes
Page   73 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb A-die

HMA81GS6AFR8N Fiches technique (HTML) - Hynix Semiconductor


HMA81GS6AFR8N Détails du produit

Description
SK hynix Unbuffered Small Outline DDR4 SDRAM DIMMs (Unbuffered Small Outine Double Data Rate Synchronous
DRAM Dual In-Line Memory Modules) are low power, high-speed operation memory modules
that use DDR4 SDRAM devices. These DDR4 SDRAM Unbuffered Small Outline DIMMs are intended for use
as main memory when installed in systems such as micro servers and mobile personal computres.

Features
• Power Supply: VDD=1.2V (1.14V to 1.26V)
• VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V)
• VPP - 2.5V (2.375V to 2.75V)
• VDDSPD=2.25V to 3.6V
• Functionality and operations comply with the DDR4 SDRAM datasheet
• 16 internal banks
• Bank Grouping is applied, and CAS to CAS latency (tCCD_L, tCCD_S) for the banks in the same or different
bank group accesses are available
• Data transfer rates: PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
• Bi-Directional Differential Data Strobe
• 8 bit pre-fetch
• Burst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop)
• Supports ECC error correction and detection
• On-Die Termination (ODT)
• Temperature sensor with integrated SPD
• This product is in compliance with the RoHS directive.
• Per DRAM Addressability is supported
• Internal Vref DQ level generation is available




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À propos de Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor est une entreprise sud-coréenne spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de mémoire.
La société a été fondée en 1983 et a son siège à Icheon, en Corée du Sud.
Hynix est l'un des principaux producteurs mondiaux de DRAM (Dynamic Random Access Memory) et NAND Flash Memory, qui sont utilisés dans diverses applications telles que les systèmes informatiques, les appareils mobiles et les lecteurs à semi-conducteurs.
Hynix est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de mémoire et sa capacité à fournir des produits de mémoire de haute qualité et haute performance à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays du monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de mémoire personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.
En plus de ses produits de mémoire, Hynix fournit également une gamme de produits et de solutions pour les marchés de l'automobile et des centres de données, tels que les produits System-on-a-Chip (SOC) et les produits de mémoire à large bande passante (HBM).

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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