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HMA425U6AFR6N Fiches technique (PDF) - Hynix Semiconductor
HMA425U6AFR6N Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
No de pièce HMA425U6AFR6N
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Taille du fichier   1340.59 Kbytes
Page   75 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Based on 4Gb A-die

HMA425U6AFR6N Datasheet (PDF)

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HMA425U6AFR6N Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

No de pièce HMA425U6AFR6N
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Page   75 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Based on 4Gb A-die

HMA425U6AFR6N Fiches technique (HTML) - Hynix Semiconductor




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Rev. 1.4 / Sep.2017
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À propos de Hynix Semiconductor

Hynix Semiconductor est une entreprise sud-coréenne spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de mémoire.
La société a été fondée en 1983 et a son siège à Icheon, en Corée du Sud.
Hynix est l'un des principaux producteurs mondiaux de DRAM (Dynamic Random Access Memory) et NAND Flash Memory, qui sont utilisés dans diverses applications telles que les systèmes informatiques, les appareils mobiles et les lecteurs à semi-conducteurs.
Hynix est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de mémoire et sa capacité à fournir des produits de mémoire de haute qualité et haute performance à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays du monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de mémoire personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.
En plus de ses produits de mémoire, Hynix fournit également une gamme de produits et de solutions pour les marchés de l'automobile et des centres de données, tels que les produits System-on-a-Chip (SOC) et les produits de mémoire à large bande passante (HBM).

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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