IXFT12N100 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXFT12N100 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXFT12N100 Datasheet PDF - IXYS Corporation


No de pièce	IXFT12N100

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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Description	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

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IXFT12N100 Détails du produit

Features
• International standard package
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
• Fast intrinsic Rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Synchronous rectification
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• AC motor control
• Temperature and lighting controls
• Low voltage relays

Advantages
• Surface mountable, high power package
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IXFT12N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	IXFT12N100	400Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXFT12N100F	99Kb / 2P	HiPerRF Power MOSFETs
	IXFT12N100F	112Kb / 2P	HiPerRF Power MOSFETs
	IXFT12N100Q	146Kb / 4P	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
	IXFT12N100QHV	205Kb / 5P	High Voltage Power MOSFET

Description similaire - IXFT12N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFH8N80	206Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
	VMO60-05F	50Kb / 2P	High dv/dt, Low-trr, HDMOS-TM Family
	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFT14N100	628Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
	VMM45-02F	41Kb / 2P	Phaseleg Configuration High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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