BFP650 Fiches technique(PDF)

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BFP650 Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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BFP650 Détails du produit

NPN Silicon Germanium RF Transistor

Preliminary data
• For high power amplifiers
• Ideal for low phase noise oscilators
• Maxim. available Gain Gma = 21 dB at 1.8 GHz
Noise figure F = 0.9 dB at 1.8 GHz
• Gold metallization for high reliability
• 70 GHz fT- Silicon Germanium technology.

Numéro de pièce similaire - BFP650

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	BFP650F	129Kb / 7P	NPN Silicon Germanium RF Transistor 2007-08-09
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Infineon Technologies est l'un des principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs qui se spécialisent dans la fourniture de solutions de gestion, de sécurité et de contrôle de l'énergie pour une variété d'industries telles que les systèmes automobiles, industriels et de communication.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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