BFP650F Fiches technique(PDF)

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BFP650F Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

BFP650F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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BFP650F Détails du produit

Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor

• For medium power amplifiers and driver stages
• Based on Infineon s reliable high volume Silicon
Germanium technology
• High OIP3 and P-1dB
• Ideal for low phase noise oscilators
• Maxim. available Gain G
ma = 21.5 dB at 1.8 GHz
Minimun noise figure NFmin = 0.8 dB at 1.8 GHz
• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small
flat package with visible leads
• Qualification report according to AEC-Q101 available

Numéro de pièce similaire - BFP650F

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	BFP650F	556Kb / 7P	Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor 2013-09-06
Infineon Technologies A...	BFP650F	556Kb / 7P	Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor 2013-09-06

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California Eastern Labs	NESG3033M14	281Kb / 7P	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	NESG340033	224Kb / 12P	NPN Silicon Germanium RF Transistor
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À propos de Infineon Technologies AG

Infineon Technologies est l'un des principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs qui se spécialisent dans la fourniture de solutions de gestion, de sécurité et de contrôle de l'énergie pour une variété d'industries telles que les systèmes automobiles, industriels et de communication.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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