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TIP41C Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "TIP41C" - Totale : 83 ( 1/5 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Complementary Silicon Plastic Power Transistors
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Complementary power transistors
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
1995 REV 1
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
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Medium Power Linear Switching Applications
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General Purpose Amplifier and Switching Applications
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TIP41C KEC-TIP41C Datasheet
202Kb/2P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
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131Kb/2P
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Silicon NPN Power Transistors
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
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Medium Power Linear Switching Applications
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TIP41C MCC-TIP41C Datasheet
189Kb/2P
Silicon NPN Power Transistors
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TIP41C MOTOROLA-TIP41C Datasheet
222Kb/6P
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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TIP41C WEITRON-TIP41C Datasheet
161Kb/3P
NPN Silicon Power Transistor
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189Kb/4P
POWER TRANSISTORS(6A,40-100V,65W)
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TIP41C MCC-TIP41C Datasheet
254Kb/2P
Silicon NPN Power Transistors
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Inchange Semiconductor ...
TIP41C ISC-TIP41C Datasheet
166Kb/4P
Silicon NPN Power Transistors

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Brève description de TIP41C


Le TIP41C est un transistor de jonction bipolaire NPN populaire (BJT) connu pour son utilisation dans les applications d'amplification et de commutation de puissance. Il fait partie de la série de transistors TIP41, qui sont conçues pour des exigences moyennes à haute puissance. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor TIP41C:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le TIP41C a une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement autour de 6A.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de collecteur (VCBO): généralement autour de 60V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 60V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 15 à 75.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Emballage: Le TIP41C est généralement disponible dans les packages de 220, qui conviennent aux transistors de puissance et offrent de bonnes performances thermiques.

Applications: Le transistor TIP41C est utilisé dans diverses applications d'amplification et de commutation d'alimentation, telles que les amplificateurs audio, les alimentations, les circuits de commande du moteur et autres circuits électroniques moyens à puissance.

Paire complémentaire: le TIP41C est souvent utilisé en conjonction avec son transistor PNP complémentaire, tel que le TIP42C, pour former un amplificateur push-pull ou une paire de commutation pour les applications nécessitant un flux de courant bidirectionnel.

Equivalent pour TIP41C


Le TIP41C est un transistor au silicium épitaxial NPN conçu pour les applications linéaires et de commutation de moyenne puissance, avec un courant de collecteur maximum de 6 A et une tension collecteur-émetteur de 100 V. Plusieurs transistors peuvent servir de remplacement, offrant des caractéristiques électriques et des fonctionnalités similaires :

BD711 :

Transistor NPN avec un courant collecteur maximum de 6A et une tension collecteur-émetteur de 100V.
Conçu pour les applications d'amplification et de commutation à usage général.
Encapsulé dans un boîtier TO-220, similaire au TIP41C.
BD911 :

Transistor de puissance NPN avec un courant collecteur maximum de 15A et une tension collecteur-émetteur de 100V.
Convient aux applications à courant plus élevé, offrant une plus grande capacité de gestion de puissance.
Également logé dans un boîtier TO-220.
MJE5180 :

Transistor NPN avec un courant collecteur maximum de 8A et une tension collecteur-émetteur de 100V.
Présente un gain de courant élevé et des vitesses de commutation rapides.
Encapsulé dans un emballage TO-220.
MJE5181 :

Transistor NPN avec un courant collecteur maximum de 8A et une tension collecteur-émetteur de 120V.
Offre une tolérance de tension plus élevée par rapport au TIP41C.
Logé dans un boîtier TO-220.
CONSEIL41A/B :

Variantes de la série TIP41 avec des tensions nominales inférieures : TIP41A (60 V) et TIP41B (80 V).
Partagez des capacités de gestion de courant et un type de package similaires.
Assurez-vous que les exigences de tension de votre application correspondent à ces valeurs nominales.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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