TIP31C Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

TIP31C Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "TIP31C" - Totale : 72 ( 1/4 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	TIP31C	123Kb/6P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors September, 2005 ??Rev. 10
STMicroelectronics	TIP31C	136Kb/10P	Power transistors 20-Apr-2006
ON Semiconductor	TIP31C	196Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON REV 1
Samsung semiconductor	TIP31C	220Kb/6P	NPN (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
STMicroelectronics	TIP31C	64Kb/5P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Oct-1999
Wing Shing Computer Com...	TIP31C	61Kb/1P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Power Innovations Ltd	TIP31C	86Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Boca Semiconductor Corp...	TIP31C	25Kb/2P	General Purpose Amplifier and Switching Applications
KEC(Korea Electronics)	TIP31C	226Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)
Micro Electronics	TIP31C	43Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Diotec Semiconductor	TIP31C	36Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Motorola, Inc	TIP31C	196Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Unisonic Technologies	TIP31C	56Kb/2P	NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	TIP31C	106Kb/2P	General Purpose Silicon Power Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	TIP31C	58Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	TIP31C	116Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Dc Components	TIP31C	196Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Rectron Semiconductor	TIP31C	76Kb/3P	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
SemiHow Co.,Ltd.	TIP31C	484Kb/5P	Medium Power Linear Switching Applications
Micro Commercial Compon...	TIP31C	190Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors

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Brève description de TIP31C

Le TIP31C est un transistor de jonction bipolaire NPN largement utilisé (BJT) avec des applications dans les circuits d'amplification et de commutation. Il est couramment utilisé dans des projets électroniques où des capacités d'amplification ou de commutation de puissance modérée sont nécessaires. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor TIP31C:

Type: Le TIP31C est un NPN (négatif positif négatif) BJT, ce qui signifie qu'il est composé de couches de matériaux semi-conducteurs, y compris des matériaux de type P et de type N.

Amplification: En tant que transistor NPN, le TIP31C peut être utilisé pour l'amplification du signal dans les circuits électroniques. Il permet à un petit courant d'entrée de contrôler un courant de sortie plus grand.

Courant du collecteur (IC): Le TIP31C a une note de courant de collection modérée, généralement dans la plage de quelques ampères. Cela représente le courant continu maximal qui peut circuler à travers le borne du collecteur.

Tension collector-émetteur (VCE): Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur sans provoquer une rupture.

Dissipation de puissance (PD): La cote de dissipation de puissance indique la puissance maximale que le transistor peut gérer sans dépasser sa température de jonction maximale.

Gain (HFE ou Beta): le gain de courant, souvent désigné comme HFE ou Beta, représente le rapport du courant de sortie au courant d'entrée. Il s'agit d'un paramètre important pour les applications d'amplification.

Package: Le TIP31C est généralement disponible dans un ensemble à 220, qui offre de bonnes performances thermiques et une facilité de montage sur un dissipateur thermique.

Applications: La TIP31C est utilisée dans une variété d'applications, y compris les amplificateurs audio, les circuits d'alimentation, les régulateurs de tension et d'autres tâches d'amplification et de commutation de l'énergie moyenne.

Vitesse de commutation: Bien que ce ne soit pas aussi rapide que certains transistors de signal plus petits, le TIP31C a une vitesse de commutation modérée adaptée à de nombreuses applications à usage général.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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