TIP122 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

TIP122 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "TIP122" - Totale : 96 ( 1/5 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	TIP122	144Kb/7P	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors November, 2014 ??Rev. 9
ON Semiconductor	TIP122	114Kb/7P	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors November, 2007 - Rev. 7
STMicroelectronics	TIP122	616Kb/13P	Complementary power Darlington transistors 25-Nov-2008
STMicroelectronics	TIP122	53Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Mar-2000
ON Semiconductor	TIP122	91Kb/7P	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors September, 2005 ??Rev. 6
KEC(Korea Electronics)	TIP122	224Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, HAMMER DRIVER,PULSE MOTOR DRIVER)
Fairchild Semiconductor	TIP122	45Kb/4P	Medium Power Linear Switching Applications
Unisonic Technologies	TIP122	112Kb/3P	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
Boca Semiconductor Corp...	TIP122	28Kb/2P	Power Darlingtons for Linear and Switching Applications
Diotec Semiconductor	TIP122	110Kb/2P	Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	TIP122	80Kb/3P	PLASTIC POWER TRANSISTORS
TRANSYS Electronics Lim...	TIP122	57Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Multicomp Pro	TIP122	1Mb/5P	Darlington Transistors 18/12/19 V1.0
TAITRON Components Inco...	TIP122	242Kb/4P	Darlington Power Transistors (NPN)
Savantic, Inc.	TIP122	127Kb/4P	Silicon NPN Darlington Power Transistors
Dc Components	TIP122	195Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Rectron Semiconductor	TIP122	76Kb/3P	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
SemiHow Co.,Ltd.	TIP122	501Kb/5P	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors
Micro Commercial Compon...	TIP122	359Kb/2P	NPN Silicon Transistors
Power Innovations Ltd	TIP122	157Kb/6P	NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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Brève description de TIP122

Le TIP122 est un transistor NPN Darlington populaire qui est largement utilisé dans les circuits électroniques, en particulier pour les applications de commutation à courant élevé. Il fait partie de la série TIP de transistors et est connu pour sa capacité à amplifier le courant et à contrôler les charges de haute puissance. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor TIP122:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le TIP122 est une couche de type N au milieu, pris en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement évalué à 5A ou plus.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON. Le TIP122 est capable de gérer des charges de courant relativement élevées.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement évaluée à 100 V ou plus.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 1000 ou plus.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Gain élevé: le TIP122 dispose d'une configuration de la paire Darlington, ce qui entraîne un gain très élevé et une excellente amplification actuelle.

Emballage: Le TIP122 est généralement disponible dans un emballage à 220 ou à 220AB, qui offre de bonnes performances thermiques et facilite le montage aux dissipateurs thermiques pour le refroidissement.

Applications: Le transistor TIP122 est couramment utilisé dans les applications à courant élevé et haute puissance, telles que le contrôle du moteur, les conducteurs de relais, les amplificateurs de puissance et d'autres applications qui nécessitent une commutation à courant élevé.

Dissie thermique: le TIP122 peut générer de la chaleur pendant le fonctionnement, de sorte que la bonne gestion de la chaleur, y compris la consommation de chaleur, peut être nécessaire pour les applications de haute puissance.

Equivalent pour TIP122

Le TIP122 est un transistor de puissance NPN Darlington couramment utilisé dans les applications de commutation et d'amplification. Il présente une tension collecteur-émetteur maximale de 100 V et un courant collecteur continu de 5 A. Les remplacements appropriés incluent :

CONSEIL120 :

Un transistor NPN Darlington similaire au TIP122.
Tension maximale collecteur-émetteur : 60 V.
Courant maximum du collecteur : 5A.
Convient aux applications à basse tension avec des exigences de courant similaires.
CONSEIL125 :

Complément PNP au TIP122.
Peut être utilisé dans des configurations push-pull avec TIP122.
Tension maximale collecteur-émetteur : 100 V.
Courant maximum du collecteur : 5A.
BD679 :

Un transistor NPN Darlington avec des spécifications similaires.
Tension maximale collecteur-émetteur : 80 V.
Courant maximum du collecteur : 4A.
Tensions et courants nominaux légèrement inférieurs mais adaptés à de nombreuses applications.
MJE13007 :

Transistor NPN conçu pour les applications haute tension et courant élevé.
Tension maximale collecteur-émetteur : 400 V.
Courant maximum du collecteur : 8A.
Nécessite des ajustements pour différentes configurations et caractéristiques des broches.
IRFZ44N (alternative MOSFET) :

MOSFET canal N adapté aux applications de commutation.
Tension drain-source maximale : 55 V.
Courant de vidange continu : 49 A.
Nécessite un pilotage de porte au niveau logique dans certains cas et est plus efficace pour la commutation.
IRF540N (alternative MOSFET) :

MOSFET canal N offrant un rendement plus élevé pour la commutation.
Tension drain-source maximale : 100 V.
Courant de vidange continu : 33 A.
Convient aux applications de puissance plus élevée et de dissipation thermique faible.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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