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Fabricant


MMBTA55 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "MMBTA55" - Totale : 74 ( 1/4 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
ON Semiconductor
MMBTA55 ONSEMI-MMBTA55 Datasheet
58Kb/4P
Driver Transistors(PNP Silicon)
March, 2004 ??Rev. 3
logo
Diodes Incorporated
MMBTA55 DIODES-MMBTA55 Datasheet
108Kb/3P
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DS30054 Rev. 11 - 2
logo
Samsung semiconductor
MMBTA55 SAMSUNG-MMBTA55 Datasheet
27Kb/1P
PNP (DRIVER TRANSISTOR)
logo
Diodes Incorporated
MMBTA55 DIODES-MMBTA55 Datasheet
80Kb/3P
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DS30054 Rev. 9 - 2
MMBTA55 DIODES-MMBTA55 Datasheet
47Kb/2P
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DS30054 Rev. 4 - 2
logo
KEC(Korea Electronics)
MMBTA55 KEC-MMBTA55 Datasheet
114Kb/1P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER)
logo
Weitron Technology
MMBTA55 WEITRON-MMBTA55 Datasheet
242Kb/4P
Driver PNP Transistors
logo
Fairchild Semiconductor
MMBTA55 FAIRCHILD-MMBTA55 Datasheet
1Mb/13P
PNP General Purpose Amplifier
logo
Diotec Semiconductor
MMBTA55 DIOTEC-MMBTA55 Datasheet
107Kb/2P
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
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Goodwork Semiconductor ...
MMBTA55 GWSEMI-MMBTA55 Datasheet
374Kb/3P
SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
logo
TAITRON Components Inco...
MMBTA55 TAITRON-MMBTA55 Datasheet
202Kb/3P
SMD General Purpose Transistor (PNP)
logo
Nanjing International G...
MMBTA55 DGNJDZ-MMBTA55 Datasheet
1Mb/3P
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
logo
Micro Commercial Compon...
MMBTA55 MCC-MMBTA55 Datasheet
118Kb/4P
PNP General Purpose Amplifier
logo
Transys Electronics
MMBTA55 TRSYS-MMBTA55 Datasheet
140Kb/1P
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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Pan Jit International I...
MMBTA55 PANJIT-MMBTA55 Datasheet
1Mb/5P
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
logo
SeCoS Halbleitertechnol...
MMBTA55 SECOS-MMBTA55 Datasheet
285Kb/4P
Driver Transistor
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KEC(Korea Electronics)
MMBTA55 KEC-MMBTA55 Datasheet
40Kb/2P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
logo
Micro Commercial Compon...
MMBTA55 MCC-MMBTA55 Datasheet
226Kb/4P
PNP General Purpose Amplifier
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Rectron Semiconductor
MMBTA55 RECTRON-MMBTA55 Datasheet
455Kb/7P
PNP General Purpose Amplifier
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Unisonic Technologies
MMBTA55 UTC-MMBTA55 Datasheet
144Kb/3P
PNP MMBTA55

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Brève description de MMBTA55


Le MMBTA55 est un type spécifique de transistor à usage général PNP. Voici quelques informations sur le transistor MMBTA55:

Fabricant: Le transistor MMBTA55 est généralement fabriqué par plusieurs sociétés de semi-conducteurs, il peut donc être disponible auprès de divers fabricants.

Type: Il s'agit d'un transistor PNP (positif-négatif positif). Les transistors PNP sont couramment utilisés à des fins d'amplification et de commutation dans les circuits électroniques.

Tension et notes de courant: les cotes de tension et de courant du transistor MMBTA55 peuvent varier en fonction du fabricant et des séries spécifiques. Cependant, en général, il s'agit d'un transistor à faible puissance avec des cotes de tension généralement dans la plage de 30 à 60 volts et des cotes de courant dans la plage de 100-500 Ma.

Type de package: Le transistor MMBTA55 est généralement disponible dans un petit package de montage de surface, tel que SOT-23 ou SOT-23-3. Le type de package détermine les dimensions physiques et la configuration des broches du transistor.

Caractéristiques: Le transistor MMBTA55 propose des fonctionnalités telles que la faible tension de saturation, le gain de courant élevé (HFE) et le faible bruit. Il convient à une large gamme d'applications à usage général en électronique.

Equivalent pour MMBTA55


Un remplacement approprié pour le transistor MMBTA55 est le BC557. Le BC557 est un transistor de jonction bipolaire PNP (BJT) couramment utilisé pour les applications d'amplification et de commutation de faible puissance. Il a des caractéristiques électriques similaires et une configuration de broches au MMBTA55, ce qui en fait un substitut approprié dans la plupart des cas.

Voici quelques détails sur le transistor BC557:

Caractéristiques électriques:

Tension maximale de base de collection (VCBO): -50V (valeur négative car c'est un transistor PNP)
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): -45V
Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): -5V
Courant du collecteur maximum (IC): 100mA
Gain de courant CC (HFE): généralement environ 125-800
Fréquence de transition (FT): 100 MHz
Configuration de la broche: le transistor BC557 a trois bornes:

Émetteur (e)
Base (b)
Collectionneur (c)
Type de package: le transistor BC557 est disponible dans divers types de packages, y compris TO-92 et SOT-23.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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