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Fabricant


MMBTA13 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "MMBTA13" - Totale : 67 ( 1/4 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
Diodes Incorporated
MMBTA13 DIODES-MMBTA13 Datasheet
120Kb/3P
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
DS30047 Rev. 11 - 2
logo
Samsung semiconductor
MMBTA13 SAMSUNG-MMBTA13 Datasheet
26Kb/1P
NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR)
logo
SEMTECH ELECTRONICS LTD...
MMBTA13 SEMTECH_ELEC-MMBTA13 Datasheet
171Kb/2P
NPN Silicon Epitaxial Planar Darlington Transistor
logo
Diodes Incorporated
MMBTA13 DIODES-MMBTA13 Datasheet
47Kb/2P
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
DS30047 Rev. 4 - 2
MMBTA13 DIODES-MMBTA13 Datasheet
112Kb/3P
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
DS30047 Rev. 10 - 2
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Infineon Technologies A...
MMBTA13 INFINEON-MMBTA13 Datasheet
123Kb/4P
NPN Silicon Darlington Transistors
Feb-18-2002
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Micro Commercial Compon...
MMBTA13 MCC-MMBTA13 Datasheet
166Kb/4P
NPN Darlington Amplifier Transistor
logo
Unisonic Technologies
MMBTA13 UTC-MMBTA13 Datasheet
77Kb/2P
DARLINGTON TRANSISTOR
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Weitron Technology
MMBTA13 WEITRON-MMBTA13 Datasheet
208Kb/5P
NPN Transistors Darlington Amplifier
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Unisonic Technologies
MMBTA13 UTC-MMBTA13 Datasheet
92Kb/3P
DARLINGTON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
logo
KEC(Korea Electronics)
MMBTA13 KEC-MMBTA13 Datasheet
65Kb/2P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, DARLINGTON TRANSISTOR)
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SeCoS Halbleitertechnol...
MMBTA13 SECOS-MMBTA13 Datasheet
885Kb/3P
Darlington Amplifier Transistor NPN Silicon
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Fairchild Semiconductor
MMBTA13 FAIRCHILD-MMBTA13 Datasheet
605Kb/13P
NPN Darlington Transistor
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Daya Electric Group Co....
MMBTA13 DAYA-MMBTA13 Datasheet
389Kb/3P
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
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Rectron Semiconductor
MMBTA13 RECTRON-MMBTA13 Datasheet
300Kb/6P
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)
logo
Micro Commercial Compon...
MMBTA13 MCC-MMBTA13 Datasheet
154Kb/5P
NPN Darlington Amplifier Transistor
logo
Transys Electronics
MMBTA13 TRSYS-MMBTA13 Datasheet
139Kb/1P
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
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SeCoS Halbleitertechnol...
MMBTA13 SECOS-MMBTA13 Datasheet
885Kb/3P
Darlington Amplifier Transistor NPN Silicon
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Micro Commercial Compon...
MMBTA13 MCC-MMBTA13 Datasheet
265Kb/5P
NPN Darlington Amplifier Transistor
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First Silicon Co., Ltd
MMBTA13 FS-MMBTA13 Datasheet
339Kb/8P
DarlingtonAmplifier Transistors

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Brève description de MMBTA13


Le MMBTA13 est un type spécifique de transistor à usage général NPN. Voici quelques informations sur le transistor MMBTA13:

Fabricant: Le transistor MMBTA13 est généralement fabriqué par plusieurs sociétés de semi-conducteurs, il peut donc être disponible auprès de divers fabricants.

Type: Il s'agit d'un transistor NPN (négatif positif négatif). Les transistors NPN sont couramment utilisés à des fins d'amplification et de commutation dans les circuits électroniques.

Tension et notes de courant: les cotes de tension et de courant du transistor MMBTA13 peuvent varier en fonction du fabricant et des séries spécifiques. Cependant, en général, il s'agit d'un transistor à faible puissance avec des cotes de tension généralement dans la plage de 30 à 40 volts et des cotes de courant dans la plage de 100-500 Ma.

Type de package: Le transistor MMBTA13 est généralement disponible dans un petit ensemble de montage de surface, tel que SOT-23 ou SOT-23-3. Le type de package détermine les dimensions physiques et la configuration des broches du transistor.

Caractéristiques: Le transistor MMBTA13 propose des fonctionnalités telles que une faible tension de saturation, un gain de courant élevé (HFE) et un faible bruit. Il convient à une large gamme d'applications à usage général en électronique.

Equivalent pour MMBTA13


Un remplacement approprié pour le transistor MMBTA13 est le 2N2222.

Le 2N2222 est un transistor de jonction bipolaire NPN qui est largement disponible et couramment utilisé pour les applications d'amplification et de commutation à faible puissance. Il a des caractéristiques électriques similaires et une configuration de PIN au MMBTA13, ce qui en fait un substitut approprié dans la plupart des cas.

Voici quelques détails sur le transistor 2N2222:

Caractéristiques électriques:

Tension maximale de base de collection (VCBO): 60V
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): 30V
Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): 5V
Courant du collecteur maximum (IC): 600mA
Gain de courant CC (HFE): généralement environ 100-300
Fréquence de transition (FT): 300 MHz
Configuration de la broche: le transistor 2N2222 a trois bornes:

Émetteur (e)
Base (b)
Collectionneur (c)
Type de package: le transistor 2N2222 est disponible dans divers types de packages, y compris TO-92, SOT-23 et SMD.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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