MMBT5551 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques

ALLDATASHEET.FR

X

Index	MMBT5551(142) Résultats de recherche (s) pour.
Données correspondantes, Données similaires	MMBT5551(54) TMMBT5551(1) MMBT5551G(1) MMBT5551L(1) MMBT5551T(2) MMBT5551W(4)
commençant par	MMBT5551(68) MMBT5551-(25) MMBT5551D(2) MMBT5551G(2) MMBT5551L(26) MMBT5551M(3) MMBT5551W*(2)
terminant par	MMBT5551(2) -MMBT5551(1)
incluant	MMBT5551(5) MMBT5551-(1) MMBT5551L(2)

Fabricant

MMBT5551 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "MMBT5551" - Totale : 135 ( 1/7 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MMBT5551	323Kb/11P	NPN General-Purpose Amplifier June 2013 Rev. 1.1.0
Diodes Incorporated	MMBT5551	128Kb/4P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 11 - 2
ON Semiconductor	MMBT5551	127Kb/6P	High Voltage Transistors NPN Silicon September, 2010 ??Rev. 9
Diodes Incorporated	MMBT5551	47Kb/2P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 4 - 2
ON Semiconductor	MMBT5551	97Kb/6P	High Voltage Transistors December, 2004 ??Rev. 4
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	MMBT5551	194Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
Diodes Incorporated	MMBT5551	419Kb/4P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 9 - 2
Unisonic Technologies	MMBT5551	51Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	MMBT5551	102Kb/2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Diotec Semiconductor	MMBT5551	98Kb/2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Shanghai Shunye Electro...	MMBT5551	840Kb/4P	TRANSISTOR (NPN) V2.22
Weitron Technology	MMBT5551	321Kb/5P	High Voltage NPN Transistors
Micro Commercial Compon...	MMBT5551	68Kb/2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Fairchild Semiconductor	MMBT5551	222Kb/5P	NPN General Purpose Amplifier
Zowie Technology Corpor...	MMBT5551	84Kb/4P	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
SeCoS Halbleitertechnol...	MMBT5551	331Kb/3P	General Purpose Transistor
Micro Commercial Compon...	MMBT5551	166Kb/2P	NPN Plastic Encapsulate Transistor
Transys Electronics	MMBT5551	170Kb/2P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Unisonic Technologies	MMBT5551	149Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Pan Jit International I...	MMBT5551	261Kb/6P	NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

12 3 4 5 6 7

12 3 4 5 .....

Brève description de MMBT5551

MMBT5551 est un petit transistor de jonction bipolaire NPN (BJT) signal qui est couramment utilisé dans les applications d'amplification et de commutation à faible puissance. Il s'agit d'un dispositif de montage en surface qui est disponible dans un petit package SOT-23.

Le transistor MMBT5551 a une cote de tension collector-émitte maximale de 160 V et une note de courant de collecteur maximum de 600 mA. Il a également un chiffre à faible bruit, avec un HFE typique (gain de courant CC) de 110 à 220 et une tension de saturation maximale de 0,3 V.

En raison de sa figure à faible bruit et de son gain élevé, le transistor MMBT551 est fréquemment utilisé dans les amplificateurs audio à faible puissance, les préamplificateurs et d'autres circuits de traitement du signal. Il peut également être utilisé dans les applications de commutation où une faible perte de puissance et des vitesses de commutation rapides sont importantes.

Lorsque vous utilisez le transistor MMBT551 ou tout autre BJT dans un circuit, il est important de prêter attention à ses paramètres d'épingle et de fonctionnement pour s'assurer qu'il est correctement biaisé et fonctionne dans ses limites de fonctionnement sûres.

Equivalent pour MMBT5551

Le MMBT5551 est un petit transistor de jonction bipolaire NPN (BJT) avec une indice de courant de collecteur maximum de 600 mA et une tension de collecteur maximale de 160 V. Si vous devez remplacer un transistor MMBT5551, voici quelques options que vous pouvez considérer:

2N3904: Il s'agit d'un NPN BJT largement utilisé avec une note de courant de collecteur maximum de 200 mA et une cote de tension collector-émetteur maximale de 40V. Il peut être utilisé en remplacement du transistor MMBT551 dans de nombreuses applications basse tension.

BC547: Il s'agit d'un autre NPN BJT avec une note de courant de collecteur maximum de 100 mA et une tension de collecteur maximum de 45V. Il s'agit d'un remplacement populaire pour le transistor MMBT5551 dans de nombreuses applications à faible actuel.

PN2222A: Il s'agit d'un NPN BJT avec une note de courant de collecteur maximale de 600mA et une tension collector-émetteur maximale de 40V. Il a des caractéristiques similaires au transistor MMBT5551 et peut être utilisé en remplacement de nombreuses applications.

MPSA42: Il s'agit d'un NPN BJT à haute tension avec une tension collector-émitte maximale de 300 V et une note de courant de collecteur maximum de 500 mA. Il peut être utilisé en remplacement du transistor MMBT551 dans des applications où une capacité de tension plus élevée est requise.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

Lien URL

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]

À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Lien vers la fiche technique | Echange de liens | Fabricants
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com