MMBT3906 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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terminant par	*/MMBT3906(1)
incluant	MMBT3906(6) MMBT3906-(1) MMBT3906L(3) MMBT3906W(1)

Fabricant

MMBT3906 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "MMBT3906" - Totale : 346 ( 1/18 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	MMBT3906	48Kb/8P	PNP switching transistor 2000 Apr 11
STMicroelectronics	MMBT3906	58Kb/4P	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR Jun-2002
Diodes Incorporated	MMBT3906	380Kb/7P	40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Rev 20
Taiwan Semiconductor Co...	MMBT3906	229Kb/5P	350mW, PNP Small Signal Transistor
ON Semiconductor	MMBT3906	421Kb/13P	PNP General-Purpose Amplifier April 2014 Rev. 1.2.2
Diodes Incorporated	MMBT3906	60Kb/3P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30059 Rev. 7 - 2
General Semiconductor	MMBT3906	136Kb/3P	SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
Diodes Incorporated	MMBT3906	90Kb/4P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30059 Rev. 14 - 2
Infineon Technologies A...	MMBT3906	110Kb/7P	PNP Silicon Switching Transistor Jul-28-2003
Infineon Technologies A...	MMBT3906	888Kb/13P	High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage 2008-02-29
NXP Semiconductors	MMBT3906	151Kb/8P	PNP switching transistor 2003 Mar 18
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	MMBT3906	337Kb/5P	PNP Silicon General Purpose Transistor
Diodes Incorporated	MMBT3906	432Kb/4P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30059 Rev. 13 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	MMBT3906	303Kb/3P	30.3 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors
Diotec Semiconductor	MMBT3906	104Kb/2P	Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Diotec Semiconductor	MMBT3906	100Kb/2P	Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Pan Jit International I...	MMBT3906	109Kb/4P	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	MMBT3906	98Kb/6P	PNP General Purpose Amplifier
Shanghai Shunye Electro...	MMBT3906	717Kb/4P	TRANSISTOR (PNP) V2.22
TAITRON Components Inco...	MMBT3906	234Kb/4P	SMD General Purpose Transistor (PNP)

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Brève description de MMBT3906

MMBT3906 est un numéro de pièce pour un transistor de jonction bipolaire PNP commun (BJT). Il s'agit d'un petit transistor de signal qui est couramment utilisé dans une large gamme d'applications électroniques.

Le transistor MMBT3906 est conçu pour gérer un courant de collecteur maximum de 200 mA et une tension collecteur maximale de 40V. Il a un chiffre à faible bruit et un gain de courant élevé, ce qui le rend bien adapté à une utilisation dans les amplificateurs audio, les petits amplificateurs de signal et les applications de commutation.

Le transistor MMBT3906 est également logé dans un package SOT-23, qui est un petit package de montage en surface qui permet un montage facile sur les circuits imprimés. Cet ensemble est largement utilisé et peut être trouvé dans de nombreux appareils électroniques.

L'une des principales caractéristiques du transistor MMBT3906 est sa vitesse de commutation rapide et sa capacité à fonctionner à haute fréquence, ce qui le rend adapté à une utilisation dans les circuits RF et micro-ondes. Il a également une tension à faible émetteur de base, ce qui signifie qu'il peut être facilement entraîné par des signaux de bas niveau.

Equivalent pour MMBT3906

Le MMBT3906 est un transistor de jonction bipolaire PNP dans un package SOT-23 de montage en surface. Si vous recherchez un remplacement pour ce transistor, il existe plusieurs options en fonction de vos besoins spécifiques.

Un remplacement possible est le 2N3906, qui est un transistor de jonction bipolaire PNP à travers avec des caractéristiques électriques similaires et est disponible dans une gamme de styles de paquets. Les autres remplacements possibles incluent le BC557 et le PN2907, qui sont tous deux des transistors à jonction bipolaire PNP avec des caractéristiques électriques similaires et disponibles dans une gamme de styles de package.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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