IRFP260N Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRFP260N Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRFP260N" - Totale : 6 ( 1/1 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFP260N	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP260N	334Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP260NPBF	200Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRFP260NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP260NPBF	325Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP260NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology

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IRFP260N Datasheet ,PDF

Search Partnumber : Start with "IRFP260N" - Total : 95 ( 1/5 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	IRFP260M	333Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP260M	172Kb/6P	HEXFET® Power MOSFET
	IRFP260MPBF	641Kb/8P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRFP260MPBF	641Kb/8P	Advanced Process Technology
Infineon Technologies A...	IRFP260MPBF	1Mb/9P	Advanced Process Technology 2020-05-28
International Rectifier	IRFP260MPBF	641Kb/8P	Advanced Process Technology
	IRFP260NPBF	200Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
	IRFP260NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP260NPBF	325Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP260NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFP260PBF	2Mb/8P	HEXFET짰 Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFP260PBF	541Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP260PBF	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP260	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP260	687Kb/11P	Power MOSFET 24-Jan-2021
International Rectifier	IRFP260	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A)
IXYS Corporation	IRFP260	36Kb/2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
Vishay Siliconix	IRFP260	541Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Inchange Semiconductor ...	IRFP260	443Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFP260	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11

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Brève description de IRFP260N

L'IRFP260N est un MOSFET canal N haute puissance conçu pour les applications de commutation exigeantes telles que les onduleurs, les contrôleurs de moteur, les onduleurs (UPS) et les convertisseurs CC-CC haute puissance. Produit par International Rectifier (désormais filiale d'Infineon Technologies), il est reconnu pour sa capacité à gérer des tensions et des courants élevés, ce qui le rend idéal pour les circuits industriels et de forte puissance.

L'IRFP260N peut supporter une tension drain-source (V_DS) allant jusqu'à 200 V et conduire jusqu'à 50 A de courant continu (avec une dissipation thermique adéquate). Sa très faible résistance à l'état passant (R_DS(on)) d'environ 0,04 ohm minimise les pertes de puissance et la production de chaleur en fonctionnement. Ses caractéristiques de commutation ultra-rapides et sa gestion robuste de l'énergie d'avalanche le rendent efficace et fiable, même dans des conditions difficiles.

Présenté dans un boîtier TO-247, l'IRFP260N offre d'excellentes performances thermiques et est conçu pour les conceptions à haut rendement et haute puissance. Cependant, comme de nombreux MOSFET standard, il nécessite généralement une tension de grille de 10 V ou plus pour une optimisation complète, ce qui le rend plus adapté aux pilotes de grille qu'à la sortie directe d'un microcontrôleur.

En résumé, l'IRFP260N est un MOSFET robuste, efficace et puissant, idéal pour les applications de commutation intensives où fiabilité et performances sont essentielles.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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