IRFP250N Fiches technique, PDF

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Fabricant

IRFP250N Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRFP250N" - Totale : 10 ( 1/1 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	IRFP250N	126Kb/8P	HEXFET® Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250N	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	169Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250N	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	208Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250NPBF	272Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250NPBF	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	333Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

Brève description de IRFP250N

L'IRFP250N est un MOSFET canal N d'Infineon Technologies, conçu pour les applications haute puissance qui nécessitent un rendement élevé et une commutation rapide.

Caractéristiques clés :
Type : MOSFET à canal N.
Tension drain-source (Vds) : 200 V.
Courant de vidange continu (Id) : 30 A.
Dissipation de puissance : 214 W.
Rds(on) : 0,075 ohms.
Applications courantes :
Alimentations : utilisées dans les alimentations à découpage haute tension.
Entraînements de moteur : adaptés à l’entraînement de moteurs de haute puissance.
Amplificateurs audio : souvent utilisés dans les étages d'amplification audio haute performance.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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