IRFP250 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRFP250 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRFP250" - Totale : 44 ( 1/3 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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Brève description de IRFP250

L'IRFP250 est un MOSFET canal N haute puissance conçu pour la commutation et l'amplification dans les applications d'électronique de puissance telles que les onduleurs, les alimentations, les variateurs de vitesse et les amplificateurs audio. Fabriqué à l'origine par International Rectifier (aujourd'hui filiale d'Infineon Technologies), l'IRFP250 est apprécié pour sa tenue en tension élevée, sa robustesse en courant et sa faible résistance à l'état passant, ce qui le rend idéal pour les systèmes de moyenne à forte puissance.

Ce MOSFET est conçu pour une tension drain-source (V_DS) de 200 V et peut supporter des courants de drain continus jusqu'à 30 A, avec une dissipation de puissance maximale d'environ 200 W lorsqu'il est correctement dissipé. Il présente une résistance R_DS(on) relativement faible (généralement autour de 0,085 Ω) et une tension de seuil de grille de 2,0 à 4,0 V, ce qui lui permet de fonctionner efficacement avec des pilotes de grille standard. Bien qu'il ne s'agisse pas d'un MOSFET de niveau logique, il est parfaitement adapté aux signaux de commande de grille 10 V couramment utilisés dans les circuits de commutation de puissance.

Logé dans un boîtier TO-247, l'IRFP250 offre d'excellentes performances thermiques et est conçu pour être monté sur des dissipateurs thermiques afin de gérer la chaleur générée lors des commutations à courant élevé.

En résumé, l'IRFP250 est un MOSFET de puissance robuste et fiable, offrant des performances de commutation efficaces et une gestion des courants élevés pour une large gamme de conceptions industrielles, automobiles et électroniques de haute puissance.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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