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Fabricant


IRF740 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF740" - Totale : 135 ( 1/7 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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STMicroelectronics
IRF740 STMICROELECTRONICS-IRF740 Datasheet
93Kb/8P
N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
Oct-1998
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Vishay Siliconix
IRF740 VISHAY-IRF740 Datasheet
135Kb/8P
Power MOSFET
16-Jun-08
IRF740 VISHAY-IRF740 Datasheet
276Kb/9P
Power MOSFET
21-Mar-11
IRF740 VISHAY-IRF740 Datasheet
157Kb/8P
Power MOSFET
16-Aug-2021
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Fairchild Semiconductor
IRF740 FAIRCHILD-IRF740 Datasheet
154Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
IRF740 FAIRCHILD-IRF740 Datasheet
894Kb/10P
400V N-Channel MOSFET
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Intersil Corporation
IRF740 INTERSIL-IRF740 Datasheet
56Kb/7P
10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
July 1999
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Suntac Electronic Corp.
IRF740 SUNTAC-IRF740 Datasheet
100Kb/3P
POWER MOSFET
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Dc Components
IRF740 DCCOM-IRF740 Datasheet
209Kb/2P
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
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Nell Semiconductor Co.,...
IRF740 NELLSEMI-IRF740 Datasheet
342Kb/7P
N-Channel Power MOSFET
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New Jersey Semi-Conduct...
IRF740 NJSEMI-IRF740 Datasheet
71Kb/2P
N-Channel MOSFET Transistor
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First Components Intern...
IRF740 FCI-IRF740 Datasheet
444Kb/3P
10A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
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ARTSCHIP ELECTRONICS CO...
IRF740 ARTSCHIP-IRF740 Datasheet
345Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs
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Inchange Semiconductor ...
IRF740 ISC-IRF740 Datasheet
279Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor
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SYC Electronica
IRF740 SYC-IRF740 Datasheet
234Kb/7P
N - CHANNEL 400V - 0.48 W - 10 A - TO-220 PowerMESHÔ MOSFET
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List of Unclassifed Man...
IRF740 ETC2-IRF740 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
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Analog Devices
IRF7401 AD-IRF7401 Datasheet
279Kb/22P
Thermoelectric Cooler Controller
REV. D
IRF7401 AD-IRF7401 Datasheet
416Kb/24P
Thermoelectric Cooler Controller
11/03-Data Sheet Changed from REV. B to REV. C.
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International Rectifier
IRF7401 IRF-IRF7401 Datasheet
118Kb/9P
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
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EVER SEMICONDUCTOR CO.,...
IRF7401 EVVOSEMI-IRF7401 Datasheet
402Kb/8P
N-Channel MOSFET
Rev:2023A2

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Brève description de IRF740


L'IRF740 est un MOSFET de puissance (transistor à effets de champ métal-oxyde-semiconducteur) couramment utilisé dans les circuits électroniques pour les applications de commutation et d'amplification à haute puissance. Il fait partie de la série IRF de MOSFET de puissance et est connu pour sa capacité à gérer des courants et des tensions élevés. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du MOSFET IRF740:

Polarité: N-canal.

L'IRF740 est un MOSFET du canal N, ce qui signifie qu'il utilise le débit d'électrons pour contrôler le courant électrique.
Tension de vidange-source (VDS): généralement évaluée à 400 V.

La tension maximale qui peut être appliquée entre les bornes de drain et de source lorsque le MOSFET est à l'état hors
Courant de vidange continu (ID): généralement évalué à 10A.

Le courant maximum que le MOSFET peut gérer en continu à l'état ON.
Résistance sur le plan (RDS (ON): généralement faible, souvent dans la plage des milliarhms.

La résistance entre le drain et les bornes source lorsque le MOSFET est complètement activé.
Vension de seuil de porte (VGS (TH)): généralement autour de 2 V à 4V.

La tension nécessaire pour allumer le MOSFET.
Tension de source de porte (VGS): généralement notée jusqu'à ± 20V.

La tension maximale qui peut être appliquée entre la porte et les bornes source.
Package: L'IRF740 est généralement disponible dans les packages de 220 ou à 220AB, qui offrent de bonnes performances thermiques et la facilité de montage aux dissipateurs thermiques pour le refroidissement.

Applications: Le MOSFET IRF740 est couramment utilisé dans les applications de haute puissance, telles que les alimentations de commutation, les circuits de commande du moteur, les étapes de sortie de l'amplificateur et d'autres applications qui nécessitent une commutation à courant élevé.

Dissie thermique: L'IRF740 peut générer de la chaleur pendant le fonctionnement, donc une gestion thermique adéquate, y compris la consommation de chaleur, peut être nécessaire pour les applications de haute puissance.

Évaluation d'énergie de l'avalanche: l'IRF740 a une évaluation d'énergie d'avalanche, qui spécifie la quantité d'énergie que le MOSFET peut absorber en toute sécurité pendant les pics de tension transitoires.

Equivalent pour IRF740


L'IRF740 est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à grande vitesse, avec une tension drain-source maximale de 400 V et un courant de drain continu de 10 A. Plusieurs MOSFET offrent des caractéristiques similaires et peuvent servir de remplacement :

IRF740A :

Tension drain-source maximale : 400 V
Courant de vidange continu : 10 A
Charge totale de porte : 36 nC
Paquet : TO-220AB
IRF740LC :

Tension drain-source maximale : 400 V
Courant de vidange continu : 10 A
Faible capacité pour des performances de commutation améliorées
Paquet : TO-220AB
IRFB13N50A :

Tension drain-source maximale : 500 V
Courant de vidange continu : 13 A
Charge totale de porte : 94 nC
Paquet : TO-220AB
IRFB17N50L :

Tension drain-source maximale : 500 V
Courant de vidange continu : 17 A
Faible résistance à l'état passant pour une commutation efficace
Paquet : TO-220AB
Lors de la sélection d’un remplaçant, tenez compte des facteurs suivants :

Tensions et courants nominaux : assurez-vous que le MOSFET de remplacement peut gérer les niveaux de tension et de courant requis dans votre circuit.
Résistance à l'état passant (RDS(on)) : une résistance à l'état passant plus faible se traduit par un rendement plus élevé et une génération de chaleur réduite.
Charge de grille : une charge de grille totale inférieure peut entraîner des temps de commutation plus rapides et une perte de puissance réduite.
Type de boîtier et configuration des broches : confirmez que le boîtier physique et le brochage sont compatibles avec la disposition de votre circuit.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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