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Fabricant


IRF540 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF540" - Totale : 99 ( 1/5 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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NXP Semiconductors
IRF540 PHILIPS-IRF540 Datasheet
86Kb/9P
N-channel TrenchMOS transistor
August 1999 Rev 1.100
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STMicroelectronics
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
53Kb/6P
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
Apr-1998
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
311Kb/8P
N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET
Feb-2003
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Vishay Siliconix
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
1Mb/8P
Power MOSFET
16-Jun-08
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
282Kb/9P
Power MOSFET
21-Mar-11
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
156Kb/8P
Power MOSFET
02-Aug-2021
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Fairchild Semiconductor
IRF540 FAIRCHILD-IRF540 Datasheet
146Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
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International Rectifier
IRF540 IRF-IRF540 Datasheet
177Kb/6P
HEXFET POWER MOSFET
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Kersemi Electronic Co.,...
IRF540 KERSEMI-IRF540 Datasheet
6Mb/7P
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
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Nell Semiconductor Co.,...
IRF540 NELLSEMI-IRF540 Datasheet
338Kb/7P
N-Channel Power MOSFET
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New Jersey Semi-Conduct...
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
984Kb/3P
25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
103Kb/3P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
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First Silicon Co., Ltd
IRF540 FS-IRF540 Datasheet
1Mb/4P
N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
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SYC Electronica
IRF540 SYC-IRF540 Datasheet
259Kb/7P
N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
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Inchange Semiconductor ...
IRF540 ISC-IRF540 Datasheet
308Kb/2P
N-Channel Power MOSFET
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Nanjing International G...
IRF540 DGNJDZ-IRF540 Datasheet
2Mb/7P
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
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SHENZHEN DOINGTER SEMIC...
IRF540 DOINGTER-IRF540 Datasheet
1Mb/5P
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
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List of Unclassifed Man...
IRF540 ETC2-IRF540 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
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Fairchild Semiconductor
IRF540A FAIRCHILD-IRF540A Datasheet
256Kb/7P
Advanced Power MOSFET
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Inchange Semiconductor ...
IRF540A ISC-IRF540A Datasheet
280Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor

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Brève description de IRF540


L'IRF540 est un MOSFET de puissance populaire (transistor à effets de champ métal-oxyde-semiconducteur) utilisé dans les circuits électroniques pour les applications de commutation et d'amplification à haute puissance. Il fait partie de la série IRF de MOSFET de puissance et est connue pour sa capacité à gérer des courants et des tensions relativement élevés. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du MOSFET IRF540:

Polarité: N-canal.

L'IRF540 est un MOSFET du canal N, ce qui signifie qu'il utilise le débit d'électrons pour changer et contrôler le courant électrique.
Tension de vidange-source (VDS): généralement évalué à 100 V.

La tension maximale qui peut être appliquée entre les bornes de drain et de source lorsque le MOSFET est à l'état hors
Courant de vidange continu (ID): généralement évalué à 33A.

Le courant maximum que le MOSFET peut gérer en continu à l'état ON.
Résistance sur le plan (RDS (ON): généralement faible, souvent dans la gamme Milliohm.

La résistance entre le drain et les bornes source lorsque le MOSFET est complètement activé.
Vension de seuil de porte (VGS (TH)): généralement autour de 2 V à 4V.

La tension nécessaire pour allumer le MOSFET.
Tension de source de porte (VGS): généralement notée jusqu'à ± 20V.

La tension maximale qui peut être appliquée entre la porte et les bornes source.
Emballage: L'IRF540 est généralement disponible dans les packages de 220 ou à 220AB, qui offrent de bonnes performances thermiques et une facilité de montage aux dissipateurs thermiques pour le refroidissement.

Applications: Le MOSFET IRF540 est couramment utilisé dans les applications de haute puissance, telles que les alimentations de commutation, les circuits de commande du moteur, les étapes de sortie de l'amplificateur et d'autres applications qui nécessitent une commutation à courant élevé.

Dissie thermique: L'IRF540 peut générer de la chaleur pendant le fonctionnement, donc une gestion thermique adéquate, y compris la consommation de chaleur, peut être nécessaire pour les applications de haute puissance.

Évaluation d'énergie de l'avalanche: l'IRF540 a une évaluation d'énergie d'avalanche, qui spécifie la quantité d'énergie que le MOSFET peut absorber en toute sécurité pendant les pointes de tension transitoires.

Equivalent pour IRF540


L'IRF540 est un MOSFET à canal N couramment utilisé pour les applications de commutation à courant élevé, avec une tension drain-source maximale de 100 V et un courant de drain continu de 28 A. Plusieurs MOSFET offrent des caractéristiques similaires et peuvent servir de remplacement :

IRF540N :

Une version améliorée de l'IRF540, offrant des performances améliorées.
Tension drain-source maximale : 100 V.
Courant de vidange continu : 33 A.
Résistance à l'état passant inférieure, ce qui entraîne une efficacité plus élevée.
IRFZ44N :

MOSFET à canal N avec des valeurs nominales de tension et de courant comparables.
Tension drain-source maximale : 55 V.
Courant de vidange continu : 49 A.
Tension nominale inférieure ; assurer la compatibilité avec votre application.
IRLZ44N :

MOSFET canal N de niveau logique adapté au pilotage de grille basse tension.
Tension drain-source maximale : 55 V.
Courant de vidange continu : 47A.
Idéal pour s'interfacer avec des microcontrôleurs.
STP55NF06 :

MOSFET canal N avec des spécifications similaires.
Tension drain-source maximale : 60 V.
Courant de vidange continu : 50 A.
Convient à diverses applications de commutation.
BUZ11 :

MOSFET canal N avec des valeurs comparables.
Tension drain-source maximale : 50 V.
Courant de vidange continu : 30 A.
Couramment utilisé dans les applications automobiles.
Lors de la sélection d’un remplaçant, tenez compte des facteurs suivants :

Tensions et courants nominaux : assurez-vous que le MOSFET de remplacement peut gérer les niveaux de tension et de courant requis dans votre circuit.
Résistance à l'état passant (RDS(on)) : une résistance à l'état passant plus faible se traduit par un rendement plus élevé et une génération de chaleur réduite.
Tension de seuil de grille : vérifiez que la tension de commande de grille dans votre conception est suffisante pour activer complètement le MOSFET.
Type de boîtier et configuration des broches : confirmez que le boîtier physique et le brochage sont compatibles avec la disposition de votre circuit.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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