IRF510 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRF510 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF510" - Totale : 34 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRF510	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Analog Devices	IRF510	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Supertex, Inc	IRF510	70Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
Fairchild Semiconductor	IRF510	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF510	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
International Rectifier	IRF510	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Harris Corporation	IRF510	71Kb/7P	4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IRF510	45Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF510	374Kb/5P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF510	132Kb/6P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF510	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF510-513	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Fairchild Semiconductor	IRF510A	252Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF510N	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510N	176Kb/9P	Power MOSFET 30-May-11
International Rectifier	IRF510N	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Intersil Corporation	IRF510N	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510N	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated

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Brève description de IRF510

L'IRF510 est un transistor MOSFET à canal N largement utilisé. Les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique) sont un type de transistor qui est utilisé pour amplifier ou changer de signaux électroniques dans divers appareils, de la petite électronique aux systèmes électriques à grande échelle.

L'IRF510, en particulier, est connu pour sa facilité de conduite, sa capacité de manipulation de courant relativement élevée et son efficacité. Il est souvent utilisé dans des applications telles que les alimentations de commutation, les commandes de moteurs, les onduleurs, les hélicoptères, les amplificateurs audio et les pilotes à grande vitesse.

Voici quelques-unes des caractéristiques clés du MOSFET IRF510:

VDSS (tension de panne de drain-source): Il peut gérer une tension de vidange maximale, généralement autour de 100 V, ce qui signifie qu'elle peut être utilisée dans des circuits avec des exigences à haute tension.

ID (courant de drain continu): Cela spécifie la quantité de courant qui peut circuler en continu, l'IRF510, généralement noté environ 5,6 A.

RDS (ON) (Drain-Source On-Resistance): Il s'agit de la résistance entre le drain et la source lorsque le transistor est allumé. Pour l'IRF510, cela est généralement assez faible, ce qui le rend efficace en termes de dissipation de puissance.

VGS (TH) (tension de seuil de porte): Il s'agit de la tension à laquelle le MOSFET commence à s'allumer. Pour l'IRF510, la tension de seuil de porte est généralement d'environ 2 V à 4V.

Dissie de puissance: la puissance maximale que l'IRF510 peut gérer sans dépasser sa température de jonction maximale est généralement d'environ 43 watts, ce qui est adéquat pour de nombreuses applications.

Configurations: Il est disponible dans un package à 220 qui convient au montage à travers, ce qui le rend facile à utiliser dans le prototypage et la production.

Température de fonctionnement: il fonctionne généralement dans une plage de température de -55 ° C à + 175 ° C, offrant une bonne plage pour divers environnements.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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