IRF3710 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRF3710 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF3710" - Totale : 34 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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Brève description de IRF3710

L'IRF3710 est un MOSFET de puissance canal N hautes performances conçu pour les applications de commutation et de contrôle de puissance à haute vitesse, tant dans l'électronique grand public qu'industrielle. Fabriqué par International Rectifier (désormais filiale d'Infineon Technologies), l'IRF3710 est couramment utilisé dans les variateurs de vitesse, les convertisseurs CC-CC, les alimentations, les onduleurs et autres systèmes de gestion de l'énergie à haut rendement.

Ce composant est conçu pour une tension drain-source (V_DS) de 100 V et peut supporter jusqu'à 57 A de courant de drain continu avec une dissipation thermique adéquate. Il présente une très faible résistance à l'état passant (R_DS(on)) d'environ 0,02 ohm, ce qui réduit les pertes par conduction et améliore l'efficacité globale des applications de commutation. Sa vitesse de commutation rapide et sa faible charge de grille le rendent idéal pour la conversion de puissance haute fréquence et le contrôle PWM.

Présenté dans un boîtier TO-220 standard, l'IRF3710 offre d'excellentes performances thermiques et s'intègre facilement aux circuits imprimés traversants. Sa tension de commande de grille d'environ 10 V est optimisée, ce qui le rend compatible avec la plupart des circuits de commande de MOSFET et des circuits de contrôle logique (avec l'interface appropriée).

En résumé, l'IRF3710 est un MOSFET canal N robuste, performant et largement utilisé. Il constitue une solution fiable pour les applications de commutation de moyenne à haute puissance, où faibles pertes et rapidité de fonctionnement sont essentielles.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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